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具有最高吞吐量的 WAFER 地球测量

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厚度

一致的厚度对于硅晶片的生产过程至关重要。接下来的每个生产步骤都以此为基础。

我们的硅片厚度测量仪能够快速、高度精确地测量硅片厚度，并且始终保持重复性。硅片通过电容式传感器进行非接触、无移动测量。

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十多年来，薄晶圆技术已经征服了现代工业：从家用电器到混合驱动装置，由厚度在 200 到 40 微米之间的晶圆制成的芯片可节省高达 40% 的能源。随着需求的增加，对生产率的要求也在提高：可靠、尤其是快速的测量比其他任何东西都更能支持这一点。

我们的晶片厚度测量工具测量时间短，这在市场上是独一无二的，适用于从薄晶片到传统厚度的所有晶片类型。

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总厚度变化

厚度变化描述了测量晶片最薄点和最厚点之间的最大差异。

这一关键指标（TTV 值）与晶片生产的质量密切相关：只有 TTV 值低的晶片才能用于复杂的任务。
我们提供适用于所有应用的 TTV 测量系统：特别是适用于 100 µm 以下材料厚度的低成本手动设备，以及适用于厚度达 970 µm 晶圆的全自动设备。我们久经考验的多传感器技术可以达到纳米级的分辨率。

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在晶圆制造过程中，许多不同的步骤都是相继进行的。所有这些步骤都需要对 TTV 值及其他值进行可靠的监控。在线切割、磨边/圆角、清洗、研磨和研磨或蚀刻过程中，这一关键数据就决定了整个生产工作流程。

我们可为您的生产链中的每个工艺步骤提供合适的计量系统，实现独特的产量和最大的成本效益。

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经线、弓和纱线

任何材料的平面度都对晶片制造的成败起着决定性作用。

弓度是晶片表面中心与参考平面的偏差。翘曲度是与参考平面的最大正负偏差之和。

我们的测量仪器可同时测量晶片平面度或晶片几何形状的所有基本测量参数：TTV、Bow、Warp 和 Sori。

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必须持续监控弯曲和翘曲，尤其是在晶圆厂的最后生产步骤中：晶片包装需要高效的流程和可重复的测量值。

我们的测量系统可以做到这一点，而且维护成本低，耐用性极高。

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电影压力

在芯片制造过程中，需要在晶片上涂敷多达几百层薄膜。为了实现最大产量，对薄膜应力的可靠控制对连续生产过程至关重要。

薄膜应力无法直接测量。只有通过测量基片的弯曲度才能确定曲率半径。为此，除了精确测量晶片的几何形状外，我们的一些系统还能同时评估被测基片的薄膜应力。

是什么让我们的测量方法如此独特？

  • 我们在晶片静止时进行测量：干扰性移动会严重影响再现性。
  • 晶片稳定地放置在三个接触点上。
  • 我们在工作中不使用真空技术，因为真空技术也会伪造测量结果和参考值。

使用我们的自动系统MX2012-H，系统吞吐量可达每小时 100 个晶片或更多。我们的所有系统均维护成本极低，可确保您获得极具成本效益的高效测试过程。

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背景：不利的组件薄膜应力会对材料制造产品的使用寿命产生相关影响。使用寿命的缩短是一个大问题，每年会造成数百万美元的维修和保修费用。

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